학력

• 연세대학교 금속공학과 학사
• KAIST 재료공학과 석사 (반도체공정 전공)
• KAIST 재료공학과 박사 (반도체공정 전공)
• 연세대학교 법학과 학사

경력

• 미국 물리학회 논문심사위원
• 하이닉스반도체 선행기술연구소 책임연구원 (반도체 소자)
• 탄젠트미디어 기술고문
• 개인사업 (인터넷서비스업)
• 사법시험 50회 합격
• 사법연수원 40기
• 특허법원 연수
• 서울주택도시공사 자문위원
• 법무법인 지명 / 특허법인 지명

업무

• 기업 : 계약, 손해배상, 회사보호, 주주보호 등
• 기술 : 과학⋅기술 지식이 요구되는 민∙형사 사건, 특허 사건 등
• 기타 : 건설, 부동산, 민사, 형사, 행정

주요
특허
발명

• US Pat. 5877991, Variable comparison voltage generation apparatus for generating a comparison voltage corresponding to a variation of electric charge quantity in aferroelectric substance memory element.
• US Pat. 6020233, Ferroelectric memory device guaranteeing electrical interconnection between lower capacitor electrode and contact plug and method for fabricating the same.
• US Pat. 6026009, Ferroelectric memory device increasing voltage on a bit line to remove dummy cells and a reference voltage generator.
• US Pat. 6041005, Semiconductor memory device.
• US Pat. 6101119, Apparatus for driving cell plate line of memory device using two power supply voltage sources.
• US Pat. 6151243, Ferroelectric memory device having folded bit line architecture.
• US Pat. 6188601, Ferroelectric memory device having single bit line coupled to at least one memory cell.
• US Pat. 6208550, Ferroelectric memory device and method for operating thereof.
• US Pat. 6258722, Method of manufacturing CMOS device.
• US Pat. 6281537, Ferroelectric memory device guaranteeing electrical interconnection between lower capacitor electrode and contact plug and method for fabricating the same.
• US Pat. 6477076, Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area.
• 음장 센서에서 복수의 음향발생장치를 구동하는 방법
• 반사음과 음장을 모두 이용하는 음향 센서
• 복수의 음향발생장치를 이용한 보안공간의 감시방법
• 음장 센서의 소음 회피 방법
• 복수의 주파수를 갖는 음향 발생 방법
• 참조 음압 스펙트럼을 이용하는 음장 센서
• 음장 센서의 주파수 자동설정 방법
• 기타 국내외 특허 수십 건 출원.

논문 등 연구
실적

• Reactive ion etching mechanism of plasma enhanced chemically vapor deposited aluminum oxide film in CF4/O2 plasma, J. Appl. Phys. 78 (3), 2045-2049 (1995)
• Characterization of PbTiO3 thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by ECR PECVD, J. Mater. Res. 10, 2, 447-452 (1995)
• Electrical properties of PZT thin films deposited by electron cyclotron resonance microwave discharge, Materials Chemistry and Physics, 45, 155-158 (1996)
• Composition control of lead zircornate titanate thin films in electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition system, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (5A) 2726-2730 (1996)
• Formation of a lead zirconate titanate (PZT) / Pt interfacial layer and structural changes in the Pt/Ti/SiO2/Si substrate during the deposition of PZT thin film by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys. 36(7A), 4386-4391 (1997)
• Low temperature nucleation of the perovskite phase in the deposition of PZT films on the Pt/SiO2/Si substrate by ECR-PECVD, Jpn. J. Appl. Phys. 36, Pt.2 (7B), L936- L938 (1997)
• Theoretical Composition Calibration and Thickness Measurement in the Analysis of Multielement Thin Films Using Wavewlength Dispersive Spectroscopy : Applications to Lead Zirconate Titanate Thin Films, Jpn. J. Appl. Phys. 36, Pt.2 (9A/B), L1242- L1245 (1997)
• Microstructrure and electrical properties of the PZT films fabricated by ECR PECVD: the effects of an interfacial layer and rapid thermal annealing, Materials Chemistry and Physics 53, 60-66, 1998.
• Reactive ion etching mechanism of RuO2 thin films in O2/CF4 electron cyclotron resonance plasma, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 2634-2641, 1998.
• Properties of PZT thin films prepared by ECR PECVD, Proceedings of the Material Research Society Symposium, (held at Sanfrancisco, USA, April 4-8, 1994), “Polycrystalline Thin Films: Structure, Texture, Properties and Applications", Vol. 343, pp 493-498, 1994.
• Electrical properties of PZT thin films deposited by ECR PECVD, Proceedings of the IUMRS (International Union of Materials Research Society) 1994 International Conference on Electronic Materials (ICEM'94), (held at Hsinchu, Taiwan, Dec. 19-22, 1994.
• Reactive ion etching characteristics of aluminum oxide films prepared by PECVD in CCl4 dry etch plasma, J. Korean Ceramic Society, 31, 485-490, 1994.
• Plasma enhanced chemically vapor deposited aluminum oxide films as a new etch mask material for microelectronic fabrication, Korean Applied Physics, 7, 289-296, 1994.
• Fabrication of very thin Pb(Zr,Ti)O3 dielectric films of 0.12nm SiO2 equivalent thickness by ECR PECVD, Korean Journal of Materials Research, 7(8), 635-639, 1997.
• Reactive ion etching properties of aluminum oxide films for etch mask, Proceedings of 1992 RETCAM Meetings on Thin Films and Crystal Growth, pp 70-79, 1992.
• ECR-PECVD PZT Thin Films for the Charge Storage Capacitor of ULSI DRAMs, Proceedings of the 1st Symposium on Chemical Vapor Deposition (held at Suwon, Korea, Feb. 16-17, 1995), J. Korean Vacuum Society 4(S1), pp145-150, 1995.
• Etch Mask 재료로서의 알루미늄산화막의 제조 및 에칭특성, 한국재료학회 1992 춘계학 술연구발표회, 대전, 5/15-16, 1992. (초록 No; B-22)
• 플라즈마 화학증착한 aluminum oxide의 reactive ion etching 특성, 한국재료학회 1992 추계학술연구발표회, MRS Korea-Mexico Joint Symposium, 서울, 11/24-25, 1992. (초 록 No; A-6)
• ECR PECVD법에 의한 PbTiO3 박막 제조, 한국요업학회 1993 추계학술연구발표회, 대 전, 10/22-23, 1993. (초록 No; D-9)
• ECR 플라즈마 화학증착법을 사용한 PZT 강유전 박막제조, 한국요업학회 1994 춘계학 술연구발표회, 서울, 4/22-23, 1994. (초록 No; B-3-2)
• ECR 플라즈마 화학증착법으로 제조한 PZT 강유전 박막의 물성, 한국요업학회 1994 추 계학술연구발표회, 서울, 10/21-22, 1994. (초록 No; F-8)
• Aluminum Oxide 절연박막의 전기적 특성과 MOS형 소자 특성에 관한 연구 (과학재단 연구보고서), 1991.
• Aluminum Oxide 절연박막의 전기적 특성과 MOS형 소자 특성에 관한 연구 (과학재단 연구보고서), 1992.
• 반도체 소자용 박막소재 개발에 관한 연구 (과학기술처 연구보고서), 1993.
• PLZT CVD 연구 (전자통신연구소 연구보고서), 1993.
• 반도체 소자용 박막소재 개발에 관한 연구 (과학기술처 연구보고서), 1994.
• 강유전성 PZT박막을 위한 전극선정에 관한 연구 (과학재단 연구보고서), 1994.
• 초고집적 기억소자용 고유전 PLZT 박막의 제조 및 특성 연구 (삼성전자 연구보고서), 1994.
• 공무방해에 관한 죄에서의 착오에 대한 연구, 2003.